- Příští vlajkové smartphony od Samsungu možná dostanou upravený design
- Samsung zvažuje jiné rozmístění čoček fotoaparátu kvůli integraci magnetického nabíjení
- Řadu Galaxy S27 má pohánět výrazně výkonnější čipset Exynos 2700
Letošní vlajkové smartphony Samsung Galaxy S26 se prodávají teprve dva měsíce, už se ale čile spekuluje o příští generaci. V posledních letech se Samsung vydával spíše cestou drobných mezigeneračních upgradů, příští rok by ale mohl být o něco odvážnější. Co Korejci pro řadu Galaxy S27 chystají?
Přesun fotoaparátů kvůli magnetům
Podle nejnovějších spekulací Samsung přemýšlí o tom, že by změnil rozmístění fotoaparátů na zádech. V této oblasti je korejská firma velmi konzervativní, již mnoho let u svých telefonů řadí čočky kamer do „semaforu“ pod sebe, letos jsme se alespoň dočkali částečného oživení v podobě sdružujícího oválného ostrůvku.
U Galaxy S27 by měla být změna výraznější, nemá se totiž jednat o kosmetickou, ale funkční úpravu. Přeskupení čoček má totiž umožnit integraci magnetického bezdrátového nabíjení přímo do těla telefonů. U současných vlajkových smartphonů od Samsungu je k magnetickému nabíjení zapotřebí zakoupit speciální kryt, přímo v telefonu magnety zabudované nejsou. Přestože se jedná o několik let starou technologii, její adopce je stále velmi pomalá – plnohodnotné magnetické nabíjení ve svých telefonech nabízí pouze Apple, Google a HMD.
Zdroj této informace nicméně připouští, že kvůli současné čipové krizi možná bude Samsung nucen své plány přehodnotit a integraci magnetů společně se stěhováním čoček odsunout až na rok 2028. Zatím ale věřme, že se to povede už příští rok.
Podstatně výkonnější Exynos
Řada Galaxy S27 má rovněž zaujmout mnohem výkonnějšími čipy. U letošní generace Samsung využil zčásti vlastní čipy Exnyos a zčásti mobilní procesory Qualcomm Snapdragon, přičemž v přímém srovnání vítězí čip od Qualcommu (zejména v efektivitě), a to navzdory tomu, že Exynyos 2600 je vyráběn modernějším 2nm procesem.
U příští generace by se Exynos mohl Qualcommu opět o něco víc přiblížit. Podle dosavadních informací Samsung chystá několik vylepšení, především má použít SBS (side-by-side) design, u kterého není paměť DRAM přímou součástí čipsetu, ale leží vedle něj. To by mělo mít za důsledek lepší rozptyl tepla, nižší zahřívání, nižší latenci a celkově vyšší výkon – Samsung si totiž díky vyššímu tepelnému stropu bude moci dovolit vyšší takty procesoru. Nespí pochopitelně ani Qualcomm, který pro své nadcházející vlajkové čipsety jistě chystá zásadní vylepšení, takže nás opět čeká velký výkonnostní souboj.
Srovnání by mohlo být o něco zajímavější než v dosavadních letech – spekuluje se totiž, že příští generaci Snapdragonů nebude vyrábět společnost TSMC, ale právě Samsung. Čipy obou konkurentů by tak mohly být uvařené ze stejného těsta, takže rozdíl ve výkonu by spočíval pouze v návrhu samotného čipu.
Jakub Karásek
Další dnešní články
